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研制成功!中子探測器關(guān)鍵技術(shù)在東莞松山湖實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化!

在我們家門口的“國之重器”又傳來了好消息!近日,位于東莞松山湖的中國散裂中子源探測器團(tuán)隊(duì)成功制備出

目前國際上用于中子探測的最大面積的碳化硼薄膜。這意味著,中子探測器關(guān)鍵技術(shù)在東莞實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化!

從中國散裂中子源獲悉,近日,中國散裂中子源(CSNS)探測器團(tuán)隊(duì)利用自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置,成功制備出滿足中子探測器需求的高性能大面積碳化硼薄膜樣品,單片面積達(dá)到1500mm×500mm,薄膜厚度1微米,全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性優(yōu)于±1.32%,是目前國際上用于中子探測的最大面積的碳化硼薄膜。

位于松山湖科學(xué)城的中國散裂中子源被譽(yù)為觀察微觀世界的“超級顯微鏡”,而中子探測器就像這個(gè)大科學(xué)裝置的“眼睛”,用來發(fā)現(xiàn)樣品的微觀結(jié)構(gòu)。

▲自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置

基于硼轉(zhuǎn)換的中子探測器因其優(yōu)異的性能已成為當(dāng)前國際上研究的熱點(diǎn),隨著CSNS 二期工程即將啟動(dòng),擬建的中子譜儀對大面積、高效率、位置靈敏的新型中子探測器需求緊迫。

如何制備出高性能中子轉(zhuǎn)換碳化硼薄膜是其中最核心的技術(shù),目前也只有美國、歐洲等少數(shù)幾個(gè)發(fā)達(dá)國家掌握了該項(xiàng)技術(shù)。2016年在核探測與核電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的支持下,CSNS探測器團(tuán)隊(duì)與同濟(jì)大學(xué)朱京濤教授合作,開始研制一臺磁控濺射大面積鍍硼專用裝置,鍍膜厚度范圍為0.01~5微米,同時(shí)支持單、雙面鍍膜,支持射頻和直流鍍膜。2021年6月,該裝置通過了重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)收并投入使用。

▲高性能大面積碳化硼薄膜樣品

經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)和工藝試制,團(tuán)隊(duì)攻克了濺射靶材制作、過渡層選擇、基材表面處理等對鍍膜質(zhì)量影響大的關(guān)鍵技術(shù),利用該裝置制備了多種規(guī)格的碳化硼薄膜,并成功應(yīng)用于CSNS多臺中子譜儀上的陶瓷GEM中子探測器,實(shí)現(xiàn)了中子探測器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國產(chǎn)化,為接下來研制更大面積的高性能新型中子探測器提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。


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