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長江存儲推出第四代閃存芯片,堆疊232層比肩國際一線大廠

記者/周玲

  8月3日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)在2022年閃存峰會(FMS)上正式發(fā)布了基于晶棧(Xtacking)3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。新一代X3系列閃存產(chǎn)品將為大數(shù)據(jù)、5G、智能物聯(lián)(AloT)及其他領(lǐng)域的多樣化應(yīng)用帶來新的機遇。

長江存儲推出第四代TLC三維閃存X3-9070長江存儲推出第四代TLC三維閃存X3-9070

  據(jù)知情人士消息,長江存儲第四代產(chǎn)品堆疊層數(shù)已達232層,比肩國際一線大廠。

  長江存儲稱,相較上一代產(chǎn)品,X3-9070擁有更高的存儲密度,更快的I/O速度,并采用6-plane設(shè)計,性能提升的同時功耗更低,進一步釋放系統(tǒng)級產(chǎn)品潛能。

  據(jù)介紹,新品在性能上實現(xiàn)高達2400MT/s的I/O傳輸速率,符合ONFI5.0規(guī)范;相較于長江存儲上一代產(chǎn)品實現(xiàn)了50%的性能提升;密度上得益于晶棧3.0的架構(gòu)創(chuàng)新,X3-9070成為了長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品,能夠在更小的單顆芯片中實現(xiàn)1Tb的存儲容量;在提升系統(tǒng)級產(chǎn)品體驗上,得益于創(chuàng)新的 6-plane設(shè)計,X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane,性能提升50%以上,同時功耗降低25%,能效比顯著提升,可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本(TCO)。

  長江存儲執(zhí)行副總裁陳軼表示:“X3-9070閃存顆粒擁有出色的性能表現(xiàn)和極高的存儲密度,能夠快速高效地應(yīng)用于主流商用場景之中。面對蓬勃發(fā)展的5G、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、人工智能等新技術(shù)帶來的全新需求和挑戰(zhàn),長江存儲將始終以晶棧為基點,不斷開發(fā)更多高品質(zhì)閃存產(chǎn)品,協(xié)同上下游存儲合作伙伴,用晶棧為存儲產(chǎn)業(yè)賦能?!?/p>


  長江存儲在2018年推出晶棧(Xtacking)架構(gòu)技術(shù),經(jīng)歷了晶棧從1.0到3.0的迭代發(fā)展,長江存儲在三維異構(gòu)集成領(lǐng)域已積累了豐富的經(jīng)驗,并基于晶棧技術(shù)成功打造了多款長江存儲系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品,包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤,以及用于移動通信和其他嵌入式應(yīng)用的eMMC、UFS等嵌入式存儲產(chǎn)品。

  全球存儲巨頭最近紛紛推出了200層以上的新品。日前,美光正式官宣推出了232層TLC閃存顆粒,并稱這是業(yè)內(nèi)密度最高、尺寸最小的TLC閃存顆粒,其能效比相比上一代更佳,可以為用戶帶來更好的性能體驗。

  8月3日,韓國SK海力士也對外表示已經(jīng)開發(fā)出238層NAND閃存產(chǎn)品,預(yù)計近期將向客戶發(fā)貨樣品。預(yù)計公司將在2023年上半年大規(guī)模投產(chǎn)238層512Gb 4D NAND產(chǎn)品,相比176層NAND產(chǎn)品,新款NAND的生產(chǎn)力/性能已經(jīng)提高37%。

  長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總部位于武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時也提供完整的存儲器解決方案。


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